主要技术指标:
容量偏差: - 5%~+10%
损耗角正切值tgб: ≤0.1%(1KHz)
极间耐压: 2.15Un;5S,无永久性击穿闪络
极壳耐压: 2Un+2kV或3kV取较高者, 10S,
无永久性击穿闪络
产品特性 结构外形
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